Справочник MOSFET. HCU7NE70S

 

HCU7NE70S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HCU7NE70S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm
   Тип корпуса: I-PAK
 

 Аналог (замена) для HCU7NE70S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HCU7NE70S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:191K  semihow
 hcu7ne70s.pdf pdf_icon

HCU7NE70S

Dec 2013BVDSS = 700 VRDS(on) typ = 0.95 HCU7NE70S ID = 6.0 A700V N-Channel Super Junction MOSFETI-PAKFEATURES Originative New Design1 Superior Avalanche Rugged Technology23 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 9 nC (Typ.) Extended Safe Operat

Другие MOSFET... HCH20NT60V , HCP12NK65V , HCP20NT60V , HCS12NK65V , HCS20NT60V , HCT7000M , HCT7000MTXV , HCU6N70S , 18N50 , HFA9N90 , HFB1N60S , HFB1N65S , HFB1N70S , HFD1N60S , HFD1N65S , HFD2N60 , HFD2N60S .

History: VBA2309 | 2SK1165 | IPA60R750E6 | 2SK1601 | PE642DT | GT1003A | HY3708M

 

 
Back to Top

 


 
.