HCU7NE70S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HCU7NE70S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm

Тип корпуса: I-PAK

Аналог (замена) для HCU7NE70S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HCU7NE70S даташит

 ..1. Size:191K  semihow
 hcu7ne70s.pdf pdf_icon

HCU7NE70S

Dec 2013 BVDSS = 700 V RDS(on) typ = 0.95 HCU7NE70S ID = 6.0 A 700V N-Channel Super Junction MOSFET I-PAK FEATURES Originative New Design 1 Superior Avalanche Rugged Technology 2 3 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 9 nC (Typ.) Extended Safe Operat

Другие IGBT... HCH20NT60V, HCP12NK65V, HCP20NT60V, HCS12NK65V, HCS20NT60V, HCT7000M, HCT7000MTXV, HCU6N70S, BS170, HFA9N90, HFB1N60S, HFB1N65S, HFB1N70S, HFD1N60S, HFD1N65S, HFD2N60, HFD2N60S