HCU7NE70S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HCU7NE70S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 9 nC
trⓘ - Время нарастания: 25 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm
Тип корпуса: I-PAK
HCU7NE70S Datasheet (PDF)
..1. Size:191K semihow
hcu7ne70s.pdf
hcu7ne70s.pdf
Dec 2013BVDSS = 700 VRDS(on) typ = 0.95 HCU7NE70S ID = 6.0 A700V N-Channel Super Junction MOSFETI-PAKFEATURES Originative New Design1 Superior Avalanche Rugged Technology23 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 9 nC (Typ.) Extended Safe Operat
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
