HFA9N90 Todos los transistores

 

HFA9N90 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HFA9N90
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 145 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 210 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247
 

 Búsqueda de reemplazo de HFA9N90 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HFA9N90 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:192K  semihow
 hfa9n90.pdf pdf_icon

HFA9N90

July 2013BVDSS = 900 VRDS(on) typ HFA9N90ID = 9.0 A900V N-Channel MOSFETTO-247FEATURES Originative New Design 123 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 55 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Low

Otros transistores... HCP12NK65V , HCP20NT60V , HCS12NK65V , HCS20NT60V , HCT7000M , HCT7000MTXV , HCU6N70S , HCU7NE70S , 4N60 , HFB1N60S , HFB1N65S , HFB1N70S , HFD1N60S , HFD1N65S , HFD2N60 , HFD2N60S , HFD2N60U .

History: AP9412AGM-HF | CS75N75 | 2SK447 | IPI120N04S4-01 | SM8A04NSU | SSU70R750S | KIA5610A

 

 
Back to Top

 


 
.