Справочник MOSFET. HFA9N90

 

HFA9N90 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HFA9N90
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 145 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для HFA9N90

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFA9N90 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:192K  semihow
 hfa9n90.pdf pdf_icon

HFA9N90

July 2013BVDSS = 900 VRDS(on) typ HFA9N90ID = 9.0 A900V N-Channel MOSFETTO-247FEATURES Originative New Design 123 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 55 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Low

Другие MOSFET... HCP12NK65V , HCP20NT60V , HCS12NK65V , HCS20NT60V , HCT7000M , HCT7000MTXV , HCU6N70S , HCU7NE70S , 10N65 , HFB1N60S , HFB1N65S , HFB1N70S , HFD1N60S , HFD1N65S , HFD2N60 , HFD2N60S , HFD2N60U .

History: YJD80N03A | STD55NH2LLT4 | QM3006U | JCS18N25VC | PNM723T703E0-2 | 2SK2750 | BUK962R6-40E

 

 
Back to Top

 


 
.