HFA9N90. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HFA9N90

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 145 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для HFA9N90

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFA9N90 даташит

 ..1. Size:192K  semihow
 hfa9n90.pdf pdf_icon

HFA9N90

July 2013 BVDSS = 900 V RDS(on) typ HFA9N90 ID = 9.0 A 900V N-Channel MOSFET TO-247 FEATURES Originative New Design 1 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 55 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Low

Другие IGBT... HCP12NK65V, HCP20NT60V, HCS12NK65V, HCS20NT60V, HCT7000M, HCT7000MTXV, HCU6N70S, HCU7NE70S, 4N60, HFB1N60S, HFB1N65S, HFB1N70S, HFD1N60S, HFD1N65S, HFD2N60, HFD2N60S, HFD2N60U