HFD4N50 Todos los transistores

 

HFD4N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HFD4N50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: D-PAK
 

 Búsqueda de reemplazo de HFD4N50 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HFD4N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:238K  semihow
 hfd4n50.pdf pdf_icon

HFD4N50

July 2005BVDSS = 500 VRDS(on) typ HFD4N50 / HFU4N50ID = 2.6 A500V N-Channel MOSFETD-PAK I-PAK2FEATURES113 23 Originative New DesignHFD4N50 HFU4N50 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 13 nC (Typ.

 ..2. Size:238K  semihow
 hfd4n50 hfu4n50.pdf pdf_icon

HFD4N50

July 2005BVDSS = 500 VRDS(on) typ HFD4N50 / HFU4N50ID = 2.6 A500V N-Channel MOSFETD-PAK I-PAK2FEATURES113 23 Originative New DesignHFD4N50 HFU4N50 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 13 nC (Typ.

Otros transistores... HFD2N60 , HFD2N60S , HFD2N60U , HFD2N65S , HFD2N65U , HFD2N70S , HFD2N90 , HFD3N80 , AON6380 , HFD5N40 , HFD5N50S , HFD5N50U , HFD5N60S , HFD5N60U , HFD5N65S , HFD5N65U , HFD5N70S .

History: VS3625GEMC | BUZ100

 

 
Back to Top

 


 
.