HFD4N50. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HFD4N50

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.7 Ohm

Тип корпуса: D-PAK

Аналог (замена) для HFD4N50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFD4N50 даташит

 ..1. Size:238K  semihow
 hfd4n50.pdf pdf_icon

HFD4N50

July 2005 BVDSS = 500 V RDS(on) typ HFD4N50 / HFU4N50 ID = 2.6 A 500V N-Channel MOSFET D-PAK I-PAK 2 FEATURES 1 1 3 2 3 Originative New Design HFD4N50 HFU4N50 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 13 nC (Typ.

 ..2. Size:238K  semihow
 hfd4n50 hfu4n50.pdf pdf_icon

HFD4N50

July 2005 BVDSS = 500 V RDS(on) typ HFD4N50 / HFU4N50 ID = 2.6 A 500V N-Channel MOSFET D-PAK I-PAK 2 FEATURES 1 1 3 2 3 Originative New Design HFD4N50 HFU4N50 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 13 nC (Typ.

Другие IGBT... HFD2N60, HFD2N60S, HFD2N60U, HFD2N65S, HFD2N65U, HFD2N70S, HFD2N90, HFD3N80, IRFZ24N, HFD5N40, HFD5N50S, HFD5N50U, HFD5N60S, HFD5N60U, HFD5N65S, HFD5N65U, HFD5N70S