Справочник MOSFET. HFD4N50

 

HFD4N50 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HFD4N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 13 nC
   trⓘ - Время нарастания: 70 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.7 Ohm
   Тип корпуса: D-PAK

 Аналог (замена) для HFD4N50

 

 

HFD4N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:238K  semihow
 hfd4n50.pdf

HFD4N50 HFD4N50

July 2005BVDSS = 500 VRDS(on) typ HFD4N50 / HFU4N50ID = 2.6 A500V N-Channel MOSFETD-PAK I-PAK2FEATURES113 23 Originative New DesignHFD4N50 HFU4N50 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 13 nC (Typ.

 ..2. Size:238K  semihow
 hfd4n50 hfu4n50.pdf

HFD4N50 HFD4N50

July 2005BVDSS = 500 VRDS(on) typ HFD4N50 / HFU4N50ID = 2.6 A500V N-Channel MOSFETD-PAK I-PAK2FEATURES113 23 Originative New DesignHFD4N50 HFU4N50 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 13 nC (Typ.

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top