IXTM40N30 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

IXTM40N30 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXTM40N30

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 300 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 650 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.088 Ohm

Encapsulados: TO204

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IXTM40N30 datasheet

..1. Size:107K ixys
ixth35n30 ixth40n30 ixtm40n30.pdf pdf_icon

VDSS ID25 RDS(on) MegaMOSTMFET IXTH 35N30 300 V 35 A 0.10 IXTH 40N30 300 V 40 A 0.085 IXTM 40N30 300 V 40 A 0.088 N-Channel Enhancement Mode Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 300 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 300 V VGS Continuous 20 V D (TAB) VGSM Tra

..2. Size:55K ixys
ixth35n30 ixtm35n30 ixth40n30 ixtm40n30.pdf pdf_icon

VDSS ID25 RDS(on) IXTH/IXTM 35 N30 300 V 35 A 0.10 MegaMOSTMFET IXTH 40 N30 300 V 40 A 0.085 IXTM 40 N30 300 V 40 A 0.088 N-Channel Enhancement Mode Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 300 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 300 V VGS Continuous 20 V VGSM Tra

9.1. Size:66K ixys
ixtm4n100 ixtm4n100a ixtm4n95 ixtm4n95a ixtp4n100 ixtp4n100a ixtp4n95 ixtp4n95a.pdf pdf_icon

9.2. Size:64K ixys
ixtm4n45 ixtm4n45a ixtm4n50 ixtm4n50a ixtp4n45 ixtp4n45a ixtp4n50 ixtp4n50a.pdf pdf_icon

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