IXTM40N30. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXTM40N30

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 300 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 650 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.088 Ohm

Тип корпуса: TO204

Аналог (замена) для IXTM40N30

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTM40N30 даташит

 ..1. Size:107K  ixys
 ixth35n30 ixth40n30 ixtm40n30.pdf pdf_icon

IXTM40N30

VDSS ID25 RDS(on) MegaMOSTMFET IXTH 35N30 300 V 35 A 0.10 IXTH 40N30 300 V 40 A 0.085 IXTM 40N30 300 V 40 A 0.088 N-Channel Enhancement Mode Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 300 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 300 V VGS Continuous 20 V D (TAB) VGSM Tra

 ..2. Size:55K  ixys
 ixth35n30 ixtm35n30 ixth40n30 ixtm40n30.pdf pdf_icon

IXTM40N30

VDSS ID25 RDS(on) IXTH/IXTM 35 N30 300 V 35 A 0.10 MegaMOSTMFET IXTH 40 N30 300 V 40 A 0.085 IXTM 40 N30 300 V 40 A 0.088 N-Channel Enhancement Mode Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 300 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 300 V VGS Continuous 20 V VGSM Tra

 9.1. Size:66K  ixys
 ixtm4n100 ixtm4n100a ixtm4n95 ixtm4n95a ixtp4n100 ixtp4n100a ixtp4n95 ixtp4n95a.pdf pdf_icon

IXTM40N30

 9.2. Size:64K  ixys
 ixtm4n45 ixtm4n45a ixtm4n50 ixtm4n50a ixtp4n45 ixtp4n45a ixtp4n50 ixtp4n50a.pdf pdf_icon

IXTM40N30

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXTM12N90, IXTM13N80, IXTM14N80, IXTM15N60, IXTM20N60, IXTM21N50, IXTM24N50, IXTM35N30, 18N50, IXTM42N20, IXTM50N20, IXTM5N100, IXTM5N100A, IXTM67N10, IXTM6N80, IXTM6N80A, IXTM6N90