HFD630 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HFD630
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 46 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V
Corriente continua de drenaje (Id): 7.2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
Carga de compuerta (Qg): 22 nC
Tiempo de elevación (tr): 70 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 85 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.4 Ohm
Empaquetado / Estuche: D-PAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HFD630
HFD630 Datasheet (PDF)
1.1. hfd630 hfu630.pdf 
Size:158K _update_mosfet
Dec 2012 BVDSS = 200 V RDS(on) typ HFD630 / HFU630 ID = 7.2 A 200V N-Channel MOSFET D-PAK I-PAK 2 FEATURES 1 1 3 2 3 Originative New Design HFD630 HFU630 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 22 nC (Typ.)
Otros transistores... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .
