HFD630 Todos los transistores

 

HFD630 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HFD630
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 46 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: D-PAK
 

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HFD630 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:158K  semihow
 hfd630 hfu630.pdf pdf_icon

HFD630

Dec 2012BVDSS = 200 VRDS(on) typ HFD630 / HFU630ID = 7.2 A200V N-Channel MOSFETD-PAK I-PAK2FEATURES113 23 Originative New DesignHFD630 HFU630 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 22 nC (Typ.)

Otros transistores... HFD5N50S , HFD5N50U , HFD5N60S , HFD5N60U , HFD5N65S , HFD5N65U , HFD5N70S , HFD5N70U , RU7088R , HFD6N60U , HFD6N65U , HFD6N70U , HFD8N60U , HFD8N65U , HFD8N70U , HFH10N80 , HFH11N90 .

History: P0903BT | GP2M012A080NG | 2SK3512-01SJ | BLS65R165-I | TSD5N65M | NCE70N1K4I | AFN3452

 

 
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