Справочник MOSFET. HFD630

 

HFD630 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: HFD630

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 46 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7.2 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 22 nC

Время нарастания (tr): 70 ns

Выходная емкость (Cd): 85 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.4 Ohm

Тип корпуса: D-PAK

Аналог (замена) для HFD630

 

 

HFD630 Datasheet (PDF)

1.1. hfd630 hfu630.pdf Size:158K _semihow

HFD630
HFD630

Dec 2012 BVDSS = 200 V RDS(on) typ HFD630 / HFU630 ID = 7.2 A 200V N-Channel MOSFET D-PAK I-PAK 2 FEATURES 1 1 3 2 3 Originative New Design HFD630 HFU630 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 22 nC (Typ.)

Другие MOSFET... IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRFP354 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , J111 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP441 , IRFP442 , IRFP443 .

 

 
Back to Top