HFD630 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: HFD630
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 46 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
Тип корпуса: D-PAK
Аналог (замена) для HFD630
HFD630 Datasheet (PDF)
hfd630 hfu630.pdf

Dec 2012BVDSS = 200 VRDS(on) typ HFD630 / HFU630ID = 7.2 A200V N-Channel MOSFETD-PAK I-PAK2FEATURES113 23 Originative New DesignHFD630 HFU630 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 22 nC (Typ.)
Другие MOSFET... HFD5N50S , HFD5N50U , HFD5N60S , HFD5N60U , HFD5N65S , HFD5N65U , HFD5N70S , HFD5N70U , RU7088R , HFD6N60U , HFD6N65U , HFD6N70U , HFD8N60U , HFD8N65U , HFD8N70U , HFH10N80 , HFH11N90 .
History: STP16NE06 | MMSF3P02HD | SDF85NA50HI | GSM2304S | SSU1N50B | CEF14P20
History: STP16NE06 | MMSF3P02HD | SDF85NA50HI | GSM2304S | SSU1N50B | CEF14P20



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
k3563 | d882p | 2sb1560 | 2n1304 | 2sa979 | 2sc4793 | d965 | mje15031