IXTM42N20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXTM42N20
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 42 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 190 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 800 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO204

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXTM42N20

IXTM42N20 Datasheet (PDF)

..1. Size:378K ixys
ixth42n20 ixtm42n20 ixth50n20 ixtm50n20.pdf

Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine

9.1. Size:107K ixys
ixth35n30 ixth40n30 ixtm40n30.pdf

VDSS ID25 RDS(on)MegaMOSTMFET IXTH 35N30 300 V 35 A 0.10 IXTH 40N30 300 V 40 A 0.085 IXTM 40N30 300 V 40 A 0.088 N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH)VDSS TJ = 25C to 150C 300 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 300 VVGS Continuous 20 V D (TAB)VGSM Tra

9.2. Size:66K ixys
ixtm4n100 ixtm4n100a ixtm4n95 ixtm4n95a ixtp4n100 ixtp4n100a ixtp4n95 ixtp4n95a.pdf

9.3. Size:64K ixys
ixtm4n45 ixtm4n45a ixtm4n50 ixtm4n50a ixtp4n45 ixtp4n45a ixtp4n50 ixtp4n50a.pdf

9.4. Size:64K ixys
ixtm4n80 ixtm4n80a ixtm4n90 ixtm4n90a ixtp4n80 ixtp4n80a ixtp4n90 ixtp4n90a.pdf

9.5. Size:55K ixys
ixth35n30 ixtm35n30 ixth40n30 ixtm40n30.pdf

VDSS ID25 RDS(on) IXTH/IXTM 35 N30 300 V 35 A 0.10 MegaMOSTMFETIXTH 40 N30 300 V 40 A 0.085 IXTM 40 N30 300 V 40 A 0.088 N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH)VDSS TJ = 25C to 150C 300 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 300 VVGS Continuous 20 VVGSM Tra

Otros transistores... IXTM13N80 , IXTM14N80 , IXTM15N60 , IXTM20N60 , IXTM21N50 , IXTM24N50 , IXTM35N30 , IXTM40N30 , AON6380 , IXTM50N20 , IXTM5N100 , IXTM5N100A , IXTM67N10 , IXTM6N80 , IXTM6N80A , IXTM6N90 , IXTM6N90A .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: