Справочник MOSFET. IXTM42N20

 

IXTM42N20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTM42N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 800 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: TO204
 

 Аналог (замена) для IXTM42N20

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTM42N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:378K  ixys
 ixth42n20 ixtm42n20 ixth50n20 ixtm50n20.pdf pdf_icon

IXTM42N20

Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine

 9.1. Size:107K  ixys
 ixth35n30 ixth40n30 ixtm40n30.pdf pdf_icon

IXTM42N20

VDSS ID25 RDS(on)MegaMOSTMFET IXTH 35N30 300 V 35 A 0.10 IXTH 40N30 300 V 40 A 0.085 IXTM 40N30 300 V 40 A 0.088 N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH)VDSS TJ = 25C to 150C 300 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 300 VVGS Continuous 20 V D (TAB)VGSM Tra

 9.2. Size:66K  ixys
 ixtm4n100 ixtm4n100a ixtm4n95 ixtm4n95a ixtp4n100 ixtp4n100a ixtp4n95 ixtp4n95a.pdf pdf_icon

IXTM42N20

 9.3. Size:64K  ixys
 ixtm4n45 ixtm4n45a ixtm4n50 ixtm4n50a ixtp4n45 ixtp4n45a ixtp4n50 ixtp4n50a.pdf pdf_icon

IXTM42N20

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXTM13N80 , IXTM14N80 , IXTM15N60 , IXTM20N60 , IXTM21N50 , IXTM24N50 , IXTM35N30 , IXTM40N30 , 2N60 , IXTM50N20 , IXTM5N100 , IXTM5N100A , IXTM67N10 , IXTM6N80 , IXTM6N80A , IXTM6N90 , IXTM6N90A .

History: ZVN4206AVSTZ | BUK9508-55 | IRF6644

 

 
Back to Top

 


 
.