HFH11N90 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HFH11N90  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 155 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.15 Ohm

Encapsulados: TO-3P

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de HFH11N90 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HFH11N90 datasheet

 ..1. Size:187K  semihow
 hfh11n90.pdf pdf_icon

HFH11N90

Dec 2005 BVDSS = 900 V RDS(on) typ HFH11N90 ID = 11 A 900V N-Channel MOSFET TO-3P FEATURES 1 Originative New Design 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 75 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON

Otros transistores... HFD630, HFD6N60U, HFD6N65U, HFD6N70U, HFD8N60U, HFD8N65U, HFD8N70U, HFH10N80, AO4407, HFH13N80, HFH18N50S, HFH19N60, HFH6N90, HFH7N80, HFI50N06, HFI640, HFN6N70U