HFH11N90 Todos los transistores

 

HFH11N90 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HFH11N90

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 300 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 900 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 11 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4.5 V

Carga de compuerta (Qg): 75 nC

Tiempo de elevación (tr): 155 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 260 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.15 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-3P

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HFH11N90 Datasheet (PDF)

1.1. hfh11n90.pdf Size:187K _update_mosfet

HFH11N90
HFH11N90

Dec 2005 BVDSS = 900 V RDS(on) typ HFH11N90 ID = 11 A 900V N-Channel MOSFET TO-3P FEATURES 1 Originative New Design 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 75 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON

Otros transistores... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .

 

 
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