HFH11N90 - аналоги и даташиты транзистора

 

HFH11N90 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HFH11N90
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 155 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.15 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P
 

 Аналог (замена) для HFH11N90

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFH11N90 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:187K  semihow
 hfh11n90.pdf pdf_icon

HFH11N90

Dec 2005BVDSS = 900 VRDS(on) typ HFH11N90ID = 11 A900V N-Channel MOSFETTO-3PFEATURES1 Originative New Design23 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 75 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON

Другие MOSFET... HFD630 , HFD6N60U , HFD6N65U , HFD6N70U , HFD8N60U , HFD8N65U , HFD8N70U , HFH10N80 , AO3407 , HFH13N80 , HFH18N50S , HFH19N60 , HFH6N90 , HFH7N80 , HFI50N06 , HFI640 , HFN6N70U .

 

 
Back to Top

 


 
.