HFH13N80 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HFH13N80
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 300 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 800 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V
Corriente continua de drenaje (Id): 12.6 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4.5 V
Carga de compuerta (Qg): 68 nC
Tiempo de elevación (tr): 175 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 270 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.95 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO-3P
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HFH13N80
HFH13N80 Datasheet (PDF)
1.1. hfh13n80.pdf 
Size:158K _update_mosfet
Dec 2005 BVDSS = 800 V RDS(on) typ HFH13N80 ID = 12.6 A 800V N-Channel MOSFET TO-3P FEATURES 1 Originative New Design 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 68 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(
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