HFH13N80 Todos los transistores

 

HFH13N80 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HFH13N80

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 300 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 800 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 12.6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4.5 V

Carga de compuerta (Qg): 68 nC

Tiempo de elevación (tr): 175 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 270 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.95 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-3P

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HFH13N80 Datasheet (PDF)

1.1. hfh13n80.pdf Size:158K _update_mosfet

HFH13N80
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Dec 2005 BVDSS = 800 V RDS(on) typ HFH13N80 ID = 12.6 A 800V N-Channel MOSFET TO-3P FEATURES 1 Originative New Design 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 68 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(

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