HFH13N80. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HFH13N80

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 175 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.95 Ohm

Тип корпуса: TO-3P

Аналог (замена) для HFH13N80

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFH13N80 даташит

 ..1. Size:158K  semihow
 hfh13n80.pdf pdf_icon

HFH13N80

Dec 2005 BVDSS = 800 V RDS(on) typ HFH13N80 ID = 12.6 A 800V N-Channel MOSFET TO-3P FEATURES 1 Originative New Design 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 68 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(

Другие IGBT... HFD6N60U, HFD6N65U, HFD6N70U, HFD8N60U, HFD8N65U, HFD8N70U, HFH10N80, HFH11N90, RU7088R, HFH18N50S, HFH19N60, HFH6N90, HFH7N80, HFI50N06, HFI640, HFN6N70U, HFP10N60S