HFH18N50S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HFH18N50S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 239 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V
Corriente continua de drenaje (Id): 19 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
Carga de compuerta (Qg): 52 nC
Tiempo de elevación (tr): 165 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 310 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.265 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO-3P
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HFH18N50S
HFH18N50S Datasheet (PDF)
1.1. hfh18n50s.pdf 
Size:221K _update_mosfet
Nov 2009 BVDSS = 500 V RDS(on) typ = 0.220 HFH18N50S ID = 19 A 500V N-Channel MOSFET TO-3P FEATURES 1 Originative New Design 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 52 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON
Otros transistores... HFD6N65U , HFD6N70U , HFD8N60U , HFD8N65U , HFD8N70U , HFH10N80 , HFH11N90 , HFH13N80 , IRF630A , HFH19N60 , HFH6N90 , HFH7N80 , HFI50N06 , HFI640 , HFN6N70U , HFP10N60S , HFP10N60U .
