HFH18N50S Todos los transistores

 

HFH18N50S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HFH18N50S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 239 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 165 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.265 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3P
 

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HFH18N50S Datasheet (PDF)

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HFH18N50S

Nov 2009BVDSS = 500 VRDS(on) typ = 0.220 HFH18N50SID = 19 A500V N-Channel MOSFETTO-3PFEATURES1 Originative New Design23 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 52 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON

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