HFH18N50S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HFH18N50S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 239 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 165 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.265 Ohm

Тип корпуса: TO-3P

Аналог (замена) для HFH18N50S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFH18N50S даташит

 ..1. Size:221K  semihow
 hfh18n50s.pdf pdf_icon

HFH18N50S

Nov 2009 BVDSS = 500 V RDS(on) typ = 0.220 HFH18N50S ID = 19 A 500V N-Channel MOSFET TO-3P FEATURES 1 Originative New Design 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 52 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON

Другие IGBT... HFD6N65U, HFD6N70U, HFD8N60U, HFD8N65U, HFD8N70U, HFH10N80, HFH11N90, HFH13N80, MMIS60R580P, HFH19N60, HFH6N90, HFH7N80, HFI50N06, HFI640, HFN6N70U, HFP10N60S, HFP10N60U