HFH19N60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HFH19N60

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 210 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 360 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm

Encapsulados: TO-3P

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HFH19N60 datasheet

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HFH19N60

OCT 2009 BVDSS = 600 V RDS(on) typ HFH19N60 ID = 18.5 A 600V N-Channel MOSFET TO-3P FEATURES 1 Originative New Design 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 95 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(O

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