Справочник MOSFET. HFH19N60

 

HFH19N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HFH19N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 210 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P
 

 Аналог (замена) для HFH19N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFH19N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:206K  semihow
 hfh19n60.pdf pdf_icon

HFH19N60

OCT 2009BVDSS = 600 VRDS(on) typ HFH19N60ID = 18.5 A600V N-Channel MOSFETTO-3PFEATURES1 Originative New Design23 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 95 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(O

Другие MOSFET... HFD6N70U , HFD8N60U , HFD8N65U , HFD8N70U , HFH10N80 , HFH11N90 , HFH13N80 , HFH18N50S , HY1906P , HFH6N90 , HFH7N80 , HFI50N06 , HFI640 , HFN6N70U , HFP10N60S , HFP10N60U , HFP10N65S .

History: TT8M1 | AOH3254

 

 
Back to Top

 


 
.