HFH19N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HFH19N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 210 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm

Тип корпуса: TO-3P

Аналог (замена) для HFH19N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFH19N60 даташит

 ..1. Size:206K  semihow
 hfh19n60.pdf pdf_icon

HFH19N60

OCT 2009 BVDSS = 600 V RDS(on) typ HFH19N60 ID = 18.5 A 600V N-Channel MOSFET TO-3P FEATURES 1 Originative New Design 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 95 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(O

Другие IGBT... HFD6N70U, HFD8N60U, HFD8N65U, HFD8N70U, HFH10N80, HFH11N90, HFH13N80, HFH18N50S, AOD4184A, HFH6N90, HFH7N80, HFI50N06, HFI640, HFN6N70U, HFP10N60S, HFP10N60U, HFP10N65S