HFH6N90 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HFH6N90
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 198 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-3P
Búsqueda de reemplazo de HFH6N90 MOSFET
HFH6N90 Datasheet (PDF)
hfh6n90.pdf

Mar 2010BVDSS = 900 VRDS(on) typ HFH6N90ID = 6.0 A900V N-Channel MOSFETTO-3PFEATURES1 Originative New Design23 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 35 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON
Otros transistores... HFD8N60U , HFD8N65U , HFD8N70U , HFH10N80 , HFH11N90 , HFH13N80 , HFH18N50S , HFH19N60 , BS170 , HFH7N80 , HFI50N06 , HFI640 , HFN6N70U , HFP10N60S , HFP10N60U , HFP10N65S , HFP10N65U .
History: AP15T15GM-HF
History: AP15T15GM-HF



Liste
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