HFH6N90 Todos los transistores

 

HFH6N90 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HFH6N90
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 198 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3P
 

 Búsqueda de reemplazo de HFH6N90 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HFH6N90 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:168K  semihow
 hfh6n90.pdf pdf_icon

HFH6N90

Mar 2010BVDSS = 900 VRDS(on) typ HFH6N90ID = 6.0 A900V N-Channel MOSFETTO-3PFEATURES1 Originative New Design23 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 35 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON

Otros transistores... HFD8N60U , HFD8N65U , HFD8N70U , HFH10N80 , HFH11N90 , HFH13N80 , HFH18N50S , HFH19N60 , AO3407 , HFH7N80 , HFI50N06 , HFI640 , HFN6N70U , HFP10N60S , HFP10N60U , HFP10N65S , HFP10N65U .

History: AP4412GM | HY4306B6 | 2SK1478 | IXFT12N100F | BRFL13N50 | 2SK65 | CEF02N6G

 

 
Back to Top

 


 
.