HFH6N90. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HFH6N90

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 198 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm

Тип корпуса: TO-3P

Аналог (замена) для HFH6N90

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFH6N90 даташит

 ..1. Size:168K  semihow
 hfh6n90.pdf pdf_icon

HFH6N90

Mar 2010 BVDSS = 900 V RDS(on) typ HFH6N90 ID = 6.0 A 900V N-Channel MOSFET TO-3P FEATURES 1 Originative New Design 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 35 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON

Другие IGBT... HFD8N60U, HFD8N65U, HFD8N70U, HFH10N80, HFH11N90, HFH13N80, HFH18N50S, HFH19N60, AO4407A, HFH7N80, HFI50N06, HFI640, HFN6N70U, HFP10N60S, HFP10N60U, HFP10N65S, HFP10N65U