Справочник MOSFET. HFH6N90

 

HFH6N90 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HFH6N90
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 198 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P
 

 Аналог (замена) для HFH6N90

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFH6N90 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:168K  semihow
 hfh6n90.pdf pdf_icon

HFH6N90

Mar 2010BVDSS = 900 VRDS(on) typ HFH6N90ID = 6.0 A900V N-Channel MOSFETTO-3PFEATURES1 Originative New Design23 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 35 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON

Другие MOSFET... HFD8N60U , HFD8N65U , HFD8N70U , HFH10N80 , HFH11N90 , HFH13N80 , HFH18N50S , HFH19N60 , AO3407 , HFH7N80 , HFI50N06 , HFI640 , HFN6N70U , HFP10N60S , HFP10N60U , HFP10N65S , HFP10N65U .

History: PSMN3R7-25YLC | 11NM70G-TF1-T | 2SJ246L

 

 
Back to Top

 


 
.