HFN6N70U MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HFN6N70U
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.3 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-82
Búsqueda de reemplazo de HFN6N70U MOSFET
HFN6N70U Datasheet (PDF)
hfn6n70u.pdf

Dec 2012BVDSS = 700 VRDS(on) typ = 1.8 HFN6N70U ID = 6.0 A700V N-Channel MOSFETSOT-82FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 123 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 16.0 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lo
Otros transistores... HFH11N90 , HFH13N80 , HFH18N50S , HFH19N60 , HFH6N90 , HFH7N80 , HFI50N06 , HFI640 , BS170 , HFP10N60S , HFP10N60U , HFP10N65S , HFP10N65U , HFP10N80 , HFP11N40 , HFP12N60S , HFP12N60U .
History: SM3415 | AP65PN2R6H | SIB800EDK | IXFV74N20P | TPD70R600M | IRFZ48PBF
History: SM3415 | AP65PN2R6H | SIB800EDK | IXFV74N20P | TPD70R600M | IRFZ48PBF



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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