HFN6N70U Todos los transistores

 

HFN6N70U MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HFN6N70U
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-82
 

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HFN6N70U Datasheet (PDF)

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HFN6N70U

Dec 2012BVDSS = 700 VRDS(on) typ = 1.8 HFN6N70U ID = 6.0 A700V N-Channel MOSFETSOT-82FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 123 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 16.0 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lo

Otros transistores... HFH11N90 , HFH13N80 , HFH18N50S , HFH19N60 , HFH6N90 , HFH7N80 , HFI50N06 , HFI640 , IRF730 , HFP10N60S , HFP10N60U , HFP10N65S , HFP10N65U , HFP10N80 , HFP11N40 , HFP12N60S , HFP12N60U .

 

 
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