HFN6N70U MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HFN6N70U

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 700 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.3 Ohm

Encapsulados: SOT-82

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HFN6N70U datasheet

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HFN6N70U

Dec 2012 BVDSS = 700 V RDS(on) typ = 1.8 HFN6N70U ID = 6.0 A 700V N-Channel MOSFET SOT-82 FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 16.0 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lo

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