Справочник MOSFET. HFN6N70U

 

HFN6N70U Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HFN6N70U
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.3 Ohm
   Тип корпуса: SOT-82
 

 Аналог (замена) для HFN6N70U

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFN6N70U Datasheet (PDF)

 ..1. Size:250K  semihow
 hfn6n70u.pdf pdf_icon

HFN6N70U

Dec 2012BVDSS = 700 VRDS(on) typ = 1.8 HFN6N70U ID = 6.0 A700V N-Channel MOSFETSOT-82FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 123 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 16.0 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lo

Другие MOSFET... HFH11N90 , HFH13N80 , HFH18N50S , HFH19N60 , HFH6N90 , HFH7N80 , HFI50N06 , HFI640 , BS170 , HFP10N60S , HFP10N60U , HFP10N65S , HFP10N65U , HFP10N80 , HFP11N40 , HFP12N60S , HFP12N60U .

History: LSB60R092GF | BUZ77B | IPAN60R210PFD7S | P6503FMA | AP80N30W | PTF13N50 | BRCS120P03ZC

 

 
Back to Top

 


 
.