IXTM5N100 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXTM5N100
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 88 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO204
- Selección de transistores por parámetros
IXTM5N100 Datasheet (PDF)
ixth5n100-a ixtm5n100-a.pdf

VDSS ID25 RDS(on)Standard IXTH / IXTM 5N100 1000 V 5 A 2.4 Power MOSFETIXTH / IXTM 5N100A 1000 V 5 A 2.0 N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH)VDSS TJ = 25C to 150C 1000 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1000 VVGS Continuous 20 V D (TAB)VGSM Transient 30 VID25 TC = 25
ixth50n20 ixtm50n20.pdf

IXTH 50N20 VDSS = 200 VMegaMOSTMFETIXTM 50N20 ID25 = 50 ARDS(on) = 45 mN-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH)VDSS TJ = 25C to 150C 200 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 200 VVGS Continuous 20 V D (TAB)VGSM Transient 30 VID25 TC = 25C50 ATO-204 AE (IXTM)IDM TC = 25C, pulse width limited b
ixth42n20 ixtm42n20 ixth50n20 ixtm50n20.pdf

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Liste
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