Справочник MOSFET. IXTM5N100

 

IXTM5N100 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXTM5N100
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 88 nC
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm
   Тип корпуса: TO204

 Аналог (замена) для IXTM5N100

 

 

IXTM5N100 Datasheet (PDF)

Другие MOSFET... IXTM15N60 , IXTM20N60 , IXTM21N50 , IXTM24N50 , IXTM35N30 , IXTM40N30 , IXTM42N20 , IXTM50N20 , RU6888R , IXTM5N100A , IXTM67N10 , IXTM6N80 , IXTM6N80A , IXTM6N90 , IXTM6N90A , IXTM75N10 , IXTN21N100 .