IXTM5N100. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXTM5N100

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm

Тип корпуса: TO204

Аналог (замена) для IXTM5N100

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTM5N100 даташит

 0.1. Size:104K  ixys
 ixth5n100-a ixtm5n100-a.pdf pdf_icon

IXTM5N100

VDSS ID25 RDS(on) Standard IXTH / IXTM 5N100 1000 V 5 A 2.4 Power MOSFET IXTH / IXTM 5N100A 1000 V 5 A 2.0 N-Channel Enhancement Mode Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 1000 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 1000 V VGS Continuous 20 V D (TAB) VGSM Transient 30 V ID25 TC = 25

 9.1. Size:111K  ixys
 ixth50n20 ixtm50n20.pdf pdf_icon

IXTM5N100

IXTH 50N20 VDSS = 200 V MegaMOSTMFET IXTM 50N20 ID25 = 50 A RDS(on) = 45 m N-Channel Enhancement Mode Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 200 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 200 V VGS Continuous 20 V D (TAB) VGSM Transient 30 V ID25 TC = 25 C50 A TO-204 AE (IXTM) IDM TC = 25 C, pulse width limited b

 9.2. Size:378K  ixys
 ixth42n20 ixtm42n20 ixth50n20 ixtm50n20.pdf pdf_icon

IXTM5N100

Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine

Другие IGBT... IXTM15N60, IXTM20N60, IXTM21N50, IXTM24N50, IXTM35N30, IXTM40N30, IXTM42N20, IXTM50N20, IRF2807, IXTM5N100A, IXTM67N10, IXTM6N80, IXTM6N80A, IXTM6N90, IXTM6N90A, IXTM75N10, IXTN21N100