HFP18N50U MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HFP18N50U

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 236 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.265 Ohm

Encapsulados: TO-220

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HFP18N50U datasheet

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HFP18N50U

Apr 2014 BVDSS = 500 V RDS(on) typ = 0.22 HFP18N50U ID = 18 A 500V N-Channel MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 58 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Low

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