HFP18N50U Todos los transistores

 

HFP18N50U MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HFP18N50U
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 236 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.265 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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HFP18N50U Datasheet (PDF)

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HFP18N50U

Apr 2014BVDSS = 500 VRDS(on) typ = 0.22 HFP18N50U ID = 18 A500V N-Channel MOSFETTO-220FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 123 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 58 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Low

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History: SVD3205F | HAT2160N

 

 
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