HFP18N50U. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HFP18N50U

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 236 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.265 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для HFP18N50U

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFP18N50U даташит

 ..1. Size:276K  semihow
 hfp18n50u.pdf pdf_icon

HFP18N50U

Apr 2014 BVDSS = 500 V RDS(on) typ = 0.22 HFP18N50U ID = 18 A 500V N-Channel MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 58 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Low

Другие IGBT... HFP12N60S, HFP12N60U, HFP12N65S, HFP12N65U, HFP13N50S, HFP13N50U, HFP13N60U, HFP13N65U, IRF640N, HFP2N60S, HFP2N60U, HFP2N65S, HFP2N65U, HFP2N70S, HFP2N90, HFP3N80, HFP4N50