Справочник MOSFET. HFP18N50U

 

HFP18N50U Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HFP18N50U
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 236 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.265 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для HFP18N50U

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFP18N50U Datasheet (PDF)

 ..1. Size:276K  semihow
 hfp18n50u.pdf pdf_icon

HFP18N50U

Apr 2014BVDSS = 500 VRDS(on) typ = 0.22 HFP18N50U ID = 18 A500V N-Channel MOSFETTO-220FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 123 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 58 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Low

Другие MOSFET... HFP12N60S , HFP12N60U , HFP12N65S , HFP12N65U , HFP13N50S , HFP13N50U , HFP13N60U , HFP13N65U , IRF630 , HFP2N60S , HFP2N60U , HFP2N65S , HFP2N65U , HFP2N70S , HFP2N90 , HFP3N80 , HFP4N50 .

 

 
Back to Top

 


 
.