HFP3N80 Todos los transistores

 

HFP3N80 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HFP3N80
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 107 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

 Búsqueda de reemplazo de HFP3N80 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HFP3N80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:245K  semihow
 hfp3n80.pdf pdf_icon

HFP3N80

Dec 2005BVDSS = 800 VRDS(on) typ = 4.0 HFP3N80ID = 3.0 A800V N-Channel MOSFETTO-220FEATURES Originative New Design 123 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 17 nC (Typ.) Unrivalled Gate Charge : 17 nC (Typ ) Exten

Otros transistores... HFP13N65U , HFP18N50U , HFP2N60S , HFP2N60U , HFP2N65S , HFP2N65U , HFP2N70S , HFP2N90 , IRFP250N , HFP4N50 , HFP4N90 , HFP5N50S , HFP5N50U , HFP5N60S , HFP5N60U , HFP5N65S , HFP5N65U .

 

 
Back to Top

 


 
.