HFP3N80 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HFP3N80

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 107 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 800 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4.5 V

Carga de compuerta (Qg): 17 nC

Tiempo de elevación (tr): 55 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 70 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 4.8 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-220

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HFP3N80 Datasheet (PDF)

1.1. hfp3n80.pdf Size:245K _update_mosfet

Dec 2005 BVDSS = 800 V RDS(on) typ = 4.0 HFP3N80 ID = 3.0 A 800V N-Channel MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design 1 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 17 nC (Typ.) Unrivalled Gate Charge : 17 nC (Typ ) Exten

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