Справочник MOSFET. HFP3N80

 

HFP3N80 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HFP3N80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.8 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для HFP3N80

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFP3N80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:245K  semihow
 hfp3n80.pdf pdf_icon

HFP3N80

Dec 2005BVDSS = 800 VRDS(on) typ = 4.0 HFP3N80ID = 3.0 A800V N-Channel MOSFETTO-220FEATURES Originative New Design 123 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 17 nC (Typ.) Unrivalled Gate Charge : 17 nC (Typ ) Exten

Другие MOSFET... HFP13N65U , HFP18N50U , HFP2N60S , HFP2N60U , HFP2N65S , HFP2N65U , HFP2N70S , HFP2N90 , IRFP250N , HFP4N50 , HFP4N90 , HFP5N50S , HFP5N50U , HFP5N60S , HFP5N60U , HFP5N65S , HFP5N65U .

History: AO3415A | 2SK2162 | VBA1310S | BUK9M53-60E | AS2305 | TSM40N03PQ56

 

 
Back to Top

 


 
.