HFP3N80. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HFP3N80

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.8 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для HFP3N80

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFP3N80 даташит

 ..1. Size:245K  semihow
 hfp3n80.pdf pdf_icon

HFP3N80

Dec 2005 BVDSS = 800 V RDS(on) typ = 4.0 HFP3N80 ID = 3.0 A 800V N-Channel MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design 1 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 17 nC (Typ.) Unrivalled Gate Charge 17 nC (Typ ) Exten

Другие IGBT... HFP13N65U, HFP18N50U, HFP2N60S, HFP2N60U, HFP2N65S, HFP2N65U, HFP2N70S, HFP2N90, IRFB4115, HFP4N50, HFP4N90, HFP5N50S, HFP5N50U, HFP5N60S, HFP5N60U, HFP5N65S, HFP5N65U