IXTM6N80 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXTM6N80
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO204

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXTM6N80

IXTM6N80 Datasheet (PDF)

0.1. Size:102K ixys
ixth6n80-a ixtm6n80-a.pdf

VDSS ID25 RDS(on)StandardIXTH / IXTM 6N80 800 V 6 A 1.8 Power MOSFETIXTH / IXTM 6N80A 800 V 6 A 1.4 N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH)VDSS TJ = 25C to 150C 800 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 800 VVGS Continuous 20 V D (TAB)VGSM Transient 30 VID25 TC = 25C6 ATO

8.1. Size:63K ixys
ixtm6n60 ixtm6n60a ixtp6n60 ixtp6n60a.pdf

8.2. Size:104K ixys
ixth6n90-a ixtm6n90-a.pdf

VDSS ID25 RDS(on)StandardIXTH / IXTM 6N90 900 V 6 A 1.8 Power MOSFETIXTH / IXTM 6N90A 900 V 6 A 1.4 N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH)VDSS TJ = 25C to 150C 900 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 900 VD (TAB)VGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VID25 TC = 25C6 AT

Otros transistores... IXTM24N50 , IXTM35N30 , IXTM40N30 , IXTM42N20 , IXTM50N20 , IXTM5N100 , IXTM5N100A , IXTM67N10 , 8205A , IXTM6N80A , IXTM6N90 , IXTM6N90A , IXTM75N10 , IXTN21N100 , IXTP15N25MA , IXTP15N25MB , IXTP15N30MA .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: