IXTM6N80. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXTM6N80

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.8 Ohm

Тип корпуса: TO204

Аналог (замена) для IXTM6N80

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTM6N80 даташит

 0.1. Size:102K  ixys
 ixth6n80-a ixtm6n80-a.pdf pdf_icon

IXTM6N80

VDSS ID25 RDS(on) Standard IXTH / IXTM 6N80 800 V 6 A 1.8 Power MOSFET IXTH / IXTM 6N80A 800 V 6 A 1.4 N-Channel Enhancement Mode Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 800 V VGS Continuous 20 V D (TAB) VGSM Transient 30 V ID25 TC = 25 C6 A TO

 8.1. Size:63K  ixys
 ixtm6n60 ixtm6n60a ixtp6n60 ixtp6n60a.pdf pdf_icon

IXTM6N80

 8.2. Size:104K  ixys
 ixth6n90-a ixtm6n90-a.pdf pdf_icon

IXTM6N80

VDSS ID25 RDS(on) Standard IXTH / IXTM 6N90 900 V 6 A 1.8 Power MOSFET IXTH / IXTM 6N90A 900 V 6 A 1.4 N-Channel Enhancement Mode Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 900 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 900 V D (TAB) VGS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V ID25 TC = 25 C6 A T

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXTM24N50, IXTM35N30, IXTM40N30, IXTM42N20, IXTM50N20, IXTM5N100, IXTM5N100A, IXTM67N10, 2N60, IXTM6N80A, IXTM6N90, IXTM6N90A, IXTM75N10, IXTN21N100, IXTP15N25MA, IXTP15N25MB, IXTP15N30MA