HFP9N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HFP9N50
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 147 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.73 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de HFP9N50 MOSFET
HFP9N50 Datasheet (PDF)
hfp9n50.pdf

June 2005BVDSS = 500 VRDS(on) typ HFP9N50ID = 9.0 A500V N-Channel MOSFETTO-220FEATURES Originative New Design 123 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 35 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(O
Otros transistores... HFP6N90 , HFP730S , HFP730U , HFP8N60S , HFP8N60U , HFP8N65S , HFP8N65U , HFP8N70U , IRFB3607 , HFS10N60S , HFS10N60U , HFS10N65S , HFS10N65U , HFS10N80 , HFS11N40 , HFS12N60S , HFS12N60U .
History: IRFR9120NTRPBF | SIS410DN | IPL60R360P6S | SRC4N65TC | RU30106L | FCH023N65S3 | FDBL9403-F085
History: IRFR9120NTRPBF | SIS410DN | IPL60R360P6S | SRC4N65TC | RU30106L | FCH023N65S3 | FDBL9403-F085



Liste
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