HFP9N50 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HFP9N50

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 147 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.73 Ohm

Encapsulados: TO-220

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HFP9N50 datasheet

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HFP9N50

June 2005 BVDSS = 500 V RDS(on) typ HFP9N50 ID = 9.0 A 500V N-Channel MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design 1 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 35 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(O

Otros transistores... HFP6N90, HFP730S, HFP730U, HFP8N60S, HFP8N60U, HFP8N65S, HFP8N65U, HFP8N70U, K4145, HFS10N60S, HFS10N60U, HFS10N65S, HFS10N65U, HFS10N80, HFS11N40, HFS12N60S, HFS12N60U