HFP9N50. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HFP9N50

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.73 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для HFP9N50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFP9N50 даташит

 ..1. Size:170K  semihow
 hfp9n50.pdf pdf_icon

HFP9N50

June 2005 BVDSS = 500 V RDS(on) typ HFP9N50 ID = 9.0 A 500V N-Channel MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design 1 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 35 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(O

Другие IGBT... HFP6N90, HFP730S, HFP730U, HFP8N60S, HFP8N60U, HFP8N65S, HFP8N65U, HFP8N70U, K4145, HFS10N60S, HFS10N60U, HFS10N65S, HFS10N65U, HFS10N80, HFS11N40, HFS12N60S, HFS12N60U