HFS3N80 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HFS3N80

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 39 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 17 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.8 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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HFS3N80 datasheet

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HFS3N80

Dec 2005 BVDSS = 800 V RDS(on) typ HFS3N80 ID = 3.0 A 800V N-Channel MOSFET TO-220F FEATURES 1 1 Originative New Design 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 17 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area

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HFS3N80

July 2022 BVDSS = 800 V RDS(on) Typ = 3.5 HFS3N80A ID = 3.0 A 800V N-Channel MOSFET TO-220F FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 20 nC (Typ.) Extended Safe Opera

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