HFS3N80 - аналоги и даташиты транзистора

 

HFS3N80 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HFS3N80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.8 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для HFS3N80

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFS3N80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:223K  semihow
 hfs3n80.pdf pdf_icon

HFS3N80

Dec 2005BVDSS = 800 VRDS(on) typ HFS3N80ID = 3.0 A800V N-Channel MOSFETTO-220FFEATURES11 Originative New Design23 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 17 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area

 0.1. Size:463K  semihow
 hfs3n80a.pdf pdf_icon

HFS3N80

July 2022BVDSS = 800 VRDS(on) Typ = 3.5 HFS3N80AID = 3.0 A800V N-Channel MOSFETTO-220FFEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology123 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 20 nC (Typ.) Extended Safe Opera

Другие MOSFET... HFS18N50U , HFS2N60 , HFS2N60S , HFS2N60U , HFS2N65S , HFS2N65U , HFS2N70S , HFS2N90 , RFP50N06 , HFS4N50 , HFS4N60 , HFS4N90 , HFS50N06 , HFS5N50S , HFS5N50U , HFS5N60S , HFS5N60U .

History: VBQA3316 | UT2316G-AE3-R

 

 
Back to Top

 


 
.