HFS3N80. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HFS3N80

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 17 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.8 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для HFS3N80

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFS3N80 даташит

 ..1. Size:223K  semihow
 hfs3n80.pdf pdf_icon

HFS3N80

Dec 2005 BVDSS = 800 V RDS(on) typ HFS3N80 ID = 3.0 A 800V N-Channel MOSFET TO-220F FEATURES 1 1 Originative New Design 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 17 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area

 0.1. Size:463K  semihow
 hfs3n80a.pdf pdf_icon

HFS3N80

July 2022 BVDSS = 800 V RDS(on) Typ = 3.5 HFS3N80A ID = 3.0 A 800V N-Channel MOSFET TO-220F FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 20 nC (Typ.) Extended Safe Opera

Другие IGBT... HFS18N50U, HFS2N60, HFS2N60S, HFS2N60U, HFS2N65S, HFS2N65U, HFS2N70S, HFS2N90, RFP50N06, HFS4N50, HFS4N60, HFS4N90, HFS50N06, HFS5N50S, HFS5N50U, HFS5N60S, HFS5N60U