HFS5N65S MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

HFS5N65S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HFS5N65S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 10.5 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.9 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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HFS5N65S datasheet

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Oct 2009 BVDSS = 650 V RDS(on) typ = 2.3 HFS5N65S ID = 4.2 A 650V N-Channel MOSFET TO-220F FEATURES 1 Originative New Design 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 10.5 nC (Typ.) Unrivalled Gate Charge 10 5 nC (Typ )

0.1. Size:792K semihow
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Dec. 2021 BVDSS = 650 V RDS(on) typ = 2.3 HFS5N65SA ID = 4.2 A 650V N-Channel MOSFET TO-220F FEATURES 1 Originative New Design 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 14.2 nC (Typ.) Extended Safe Op

7.1. Size:598K semihow
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Mar. 2023 HFS5N65JS 650V N-Channel MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Superior Avalanche Rugged Technology BVDSS 650 V Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances ID 4.0 A Excellent Switching Characteristics RDS(on), Typ 2.26 100% Avalanche Tested Qg, Typ 12.7 nC RoHS Compliant TO-220FS Symbol S D G Absolute Maximum

7.2. Size:315K semihow
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March 2013 BVDSS = 650 V RDS(on) typ HFS5N65U ID = 4.5 A 650V N-Channel MOSFET TO-220F FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 10.5 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area

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