HFS5N65S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HFS5N65S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.9 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для HFS5N65S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFS5N65S даташит

 ..1. Size:202K  semihow
 hfs5n65s.pdf pdf_icon

HFS5N65S

Oct 2009 BVDSS = 650 V RDS(on) typ = 2.3 HFS5N65S ID = 4.2 A 650V N-Channel MOSFET TO-220F FEATURES 1 Originative New Design 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 10.5 nC (Typ.) Unrivalled Gate Charge 10 5 nC (Typ )

 0.1. Size:792K  semihow
 hfs5n65sa.pdf pdf_icon

HFS5N65S

Dec. 2021 BVDSS = 650 V RDS(on) typ = 2.3 HFS5N65SA ID = 4.2 A 650V N-Channel MOSFET TO-220F FEATURES 1 Originative New Design 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 14.2 nC (Typ.) Extended Safe Op

 7.1. Size:598K  semihow
 hfs5n65js.pdf pdf_icon

HFS5N65S

Mar. 2023 HFS5N65JS 650V N-Channel MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Superior Avalanche Rugged Technology BVDSS 650 V Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances ID 4.0 A Excellent Switching Characteristics RDS(on), Typ 2.26 100% Avalanche Tested Qg, Typ 12.7 nC RoHS Compliant TO-220FS Symbol S D G Absolute Maximum

 7.2. Size:315K  semihow
 hfs5n65u.pdf pdf_icon

HFS5N65S

March 2013 BVDSS = 650 V RDS(on) typ HFS5N65U ID = 4.5 A 650V N-Channel MOSFET TO-220F FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 10.5 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HFS4N50, HFS4N60, HFS4N90, HFS50N06, HFS5N50S, HFS5N50U, HFS5N60S, HFS5N60U, 2N60, HFS5N65U, HFS5N70S, HFS5N80, HFS630, HFS640, HFS6N60U, HFS6N65U, HFS6N70U