HFS630 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HFS630

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm

Encapsulados: TO-220F

 Búsqueda de reemplazo de HFS630 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HFS630 datasheet

 ..1. Size:149K  semihow
 hfs630.pdf pdf_icon

HFS630

July 2005 BVDSS = 200 V RDS(on) typ HFS630 ID = 9 A 200V N-Channel MOSFET TO-220F FEATURES 1 Originative New Design 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 22 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON

Otros transistores... HFS5N50S, HFS5N50U, HFS5N60S, HFS5N60U, HFS5N65S, HFS5N65U, HFS5N70S, HFS5N80, AO3400A, HFS640, HFS6N60U, HFS6N65U, HFS6N70U, HFS6N90, HFS730, HFS730U, HFS740