HFS630. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HFS630

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для HFS630

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFS630 даташит

 ..1. Size:149K  semihow
 hfs630.pdf pdf_icon

HFS630

July 2005 BVDSS = 200 V RDS(on) typ HFS630 ID = 9 A 200V N-Channel MOSFET TO-220F FEATURES 1 Originative New Design 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 22 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON

Другие IGBT... HFS5N50S, HFS5N50U, HFS5N60S, HFS5N60U, HFS5N65S, HFS5N65U, HFS5N70S, HFS5N80, AO3400A, HFS640, HFS6N60U, HFS6N65U, HFS6N70U, HFS6N90, HFS730, HFS730U, HFS740