Справочник MOSFET. HFS630

 

HFS630 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HFS630
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для HFS630

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFS630 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:149K  semihow
 hfs630.pdf pdf_icon

HFS630

July 2005BVDSS = 200 VRDS(on) typ HFS630ID = 9 A200V N-Channel MOSFETTO-220FFEATURES1 Originative New Design23 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 22 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON

Другие MOSFET... HFS5N50S , HFS5N50U , HFS5N60S , HFS5N60U , HFS5N65S , HFS5N65U , HFS5N70S , HFS5N80 , RU6888R , HFS640 , HFS6N60U , HFS6N65U , HFS6N70U , HFS6N90 , HFS730 , HFS730U , HFS740 .

History: CS7N70F | NCE60H15AD | PDH6902 | MP15N60EIC | FDFME2P823ZT | OSG70R1KPF

 

 
Back to Top

 


 
.