HFS7N80 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HFS7N80
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 56 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 800 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V
Corriente continua de drenaje (Id): 7 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4.5 V
Carga de compuerta (Qg): 35 nC
Tiempo de elevación (tr): 120 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 120 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.9 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HFS7N80
HFS7N80 Datasheet (PDF)
1.1. hfs7n80.pdf 
Size:213K _semihow
July 2005 BVDSS = 800 V RDS(on) typ = 1.55 HFS7N80 ID = 7.0 A 800V N-Channel MOSFET TO-220F FEATURES 1 Originative New Design 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 35 nC (Typ.) Unrivalled Gate Charge : 35 nC (Typ ) E
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