HFS7N80. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HFS7N80

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.9 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для HFS7N80

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFS7N80 даташит

 ..1. Size:213K  semihow
 hfs7n80.pdf pdf_icon

HFS7N80

July 2005 BVDSS = 800 V RDS(on) typ = 1.55 HFS7N80 ID = 7.0 A 800V N-Channel MOSFET TO-220F FEATURES 1 Originative New Design 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 35 nC (Typ.) Unrivalled Gate Charge 35 nC (Typ ) E

 0.1. Size:674K  semihow
 hfs7n80a.pdf pdf_icon

HFS7N80

June 2021 BVDSS = 800 V RDS(on) Typ = 1.55 HFS7N80A ID = 7.0 A 800V N-Channel MOSFET TO-220F FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 40 nC (Typ.) Extended Safe Oper

Другие IGBT... HFS640, HFS6N60U, HFS6N65U, HFS6N70U, HFS6N90, HFS730, HFS730U, HFS740, IRF9640, HFS830, HFS840, HFS8N60S, HFS8N60U, HFS8N65S, HFS8N65U, HFS8N70S, HFS8N70U