Справочник MOSFET. HFS7N80

 

HFS7N80 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HFS7N80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.9 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для HFS7N80

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFS7N80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:213K  semihow
 hfs7n80.pdf pdf_icon

HFS7N80

July 2005BVDSS = 800 VRDS(on) typ = 1.55 HFS7N80ID = 7.0 A800V N-Channel MOSFETTO-220FFEATURES1 Originative New Design23 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 35 nC (Typ.) Unrivalled Gate Charge : 35 nC (Typ ) E

 0.1. Size:674K  semihow
 hfs7n80a.pdf pdf_icon

HFS7N80

June 2021BVDSS = 800 VRDS(on) Typ = 1.55 HFS7N80AID = 7.0 A800V N-Channel MOSFETTO-220FFEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology123 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 40 nC (Typ.) Extended Safe Oper

Другие MOSFET... HFS640 , HFS6N60U , HFS6N65U , HFS6N70U , HFS6N90 , HFS730 , HFS730U , HFS740 , AON7403 , HFS830 , HFS840 , HFS8N60S , HFS8N60U , HFS8N65S , HFS8N65U , HFS8N70S , HFS8N70U .

History: FDWS86368-F085 | ST3421SRG | NCEP02525G

 

 
Back to Top

 


 
.