HFS840 Todos los transistores

 

HFS840 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HFS840

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 44 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 9 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4.5 V

Carga de compuerta (Qg): 25 nC

Tiempo de elevación (tr): 60 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 130 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.85 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HFS840

 

HFS840 Datasheet (PDF)

1.1. hfs840.pdf Size:264K _update_mosfet

HFS840
HFS840

Sep 2011 BVDSS = 500 V RDS(on) typ HFS840 ID = 9.0 A 500V N-Channel MOSFET TO-220F FEATURES 1 Originative New Design 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 25 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lowe

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