HFS840 Todos los transistores

 

HFS840 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HFS840
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 44 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

 Búsqueda de reemplazo de HFS840 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HFS840 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:909K  semihow
 hfs840.pdf pdf_icon

HFS840

Dec 2017 BVDSS = 500 V RDS(on) typ = 0.7 HFS840 ID = 9.0 A 500V N-Channel MOSFET TO-220F FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 25 nC (Typ.) Ex

Otros transistores... HFS6N65U , HFS6N70U , HFS6N90 , HFS730 , HFS730U , HFS740 , HFS7N80 , HFS830 , EMB04N03H , HFS8N60S , HFS8N60U , HFS8N65S , HFS8N65U , HFS8N70S , HFS8N70U , HFS8N80 , HFS9N50 .

 

 
Back to Top

 


 
.