Справочник MOSFET. HFS840

 

HFS840 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HFS840
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 25 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для HFS840

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFS840 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:909K  semihow
 hfs840.pdf pdf_icon

HFS840

Dec 2017 BVDSS = 500 V RDS(on) typ = 0.7 HFS840 ID = 9.0 A 500V N-Channel MOSFET TO-220F FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 25 nC (Typ.) Ex

Другие MOSFET... HFS6N65U , HFS6N70U , HFS6N90 , HFS730 , HFS730U , HFS740 , HFS7N80 , HFS830 , EMB04N03H , HFS8N60S , HFS8N60U , HFS8N65S , HFS8N65U , HFS8N70S , HFS8N70U , HFS8N80 , HFS9N50 .

History: 2SK2377

 

 
Back to Top

 


 
.