IXTN21N100 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXTN21N100

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 520 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 630 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.55 Ohm

Encapsulados: SOT227

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IXTN21N100 datasheet

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IXTN21N100

IXTK 21N100 VDSS = 1000 V High Voltage IXTN 21N100 ID25 = 21 A MegaMOSTMFETs RDS(on) = 0.55 N-Channel, Enhancement Mode TO-264 AA (IXTK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings IXTK IXTN VDSS TJ = 25 C to 150 C 1000 1000 V G D (TAB) D VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 1000 1000 V S VGS Continuous 20 20 V miniBLOC, SOT-227 B VGSM Transient 30

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IXTN21N100

Advance Technical Information TrenchPTM VDSS = -100V IXTN210P10T Power MOSFET ID25 = - 210A RDS(on) 7.5m trr 200ns P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier miniBLOC E153432 S G Symbol Test Conditions Maximum Ratings S VDSS TJ = 25 C to 150 C -100 V D VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M

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IXTN21N100

Advance Technical Information Linear L2TM Power VDSS = 100V IXTN200N10L2 MOSFET w/ Extended ID25 = 178A FBSOA RDS(on) 11m N-Channel Enhancement Mode Guaranteed FBSOA Avalanche Rated miniBLOC, SOT-227 E153432 S Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VDSS TJ = 25 C to 150 C 100 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 100 V

Otros transistores... IXTM5N100, IXTM5N100A, IXTM67N10, IXTM6N80, IXTM6N80A, IXTM6N90, IXTM6N90A, IXTM75N10, IRFB31N20D, IXTP15N25MA, IXTP15N25MB, IXTP15N30MA, IXTP15N30MB, IXTP1N100, IXTP22N15MA, IXTP22N15MB, IXTP22N20MA