IXTN21N100 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IXTN21N100
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 520 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 630 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm
Тип корпуса: SOT227
Аналог (замена) для IXTN21N100
IXTN21N100 Datasheet (PDF)
ixtk21n100 ixtn21n100.pdf

IXTK 21N100 VDSS = 1000 VHigh VoltageIXTN 21N100 ID25 = 21 AMegaMOSTMFETsRDS(on) = 0.55 N-Channel, Enhancement ModeTO-264 AA (IXTK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsIXTK IXTNVDSS TJ = 25C to 150C 1000 1000 VGD (TAB)DVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1000 1000 VSVGS Continuous 20 20 VminiBLOC, SOT-227 BVGSM Transient 30
ixtn210p10t.pdf

Advance Technical InformationTrenchPTM VDSS = -100VIXTN210P10TPower MOSFET ID25 = - 210A RDS(on) 7.5m trr 200nsP-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierminiBLOCE153432SGSymbol Test Conditions Maximum RatingsSVDSS TJ = 25C to 150C -100 VDVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M
ixtn200n10l2.pdf

Advance Technical Information Linear L2TM Power VDSS = 100V IXTN200N10L2 MOSFET w/ Extended ID25 = 178A FBSOA RDS(on) 11m N-Channel Enhancement Mode Guaranteed FBSOA Avalanche Rated miniBLOC, SOT-227 E153432 S Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VDSS TJ = 25C to 150C 100 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 100 V
Другие MOSFET... IXTM5N100 , IXTM5N100A , IXTM67N10 , IXTM6N80 , IXTM6N80A , IXTM6N90 , IXTM6N90A , IXTM75N10 , IRFZ46N , IXTP15N25MA , IXTP15N25MB , IXTP15N30MA , IXTP15N30MB , IXTP1N100 , IXTP22N15MA , IXTP22N15MB , IXTP22N20MA .
History: APT94N60L2C3G | APT94N65LC6 | NCE0270T | TPCP8403 | IXTP15N30MB | AONS66615T | NTTFS030N06C
History: APT94N60L2C3G | APT94N65LC6 | NCE0270T | TPCP8403 | IXTP15N30MB | AONS66615T | NTTFS030N06C



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
ss8550 | mje15033 | 2sc945 datasheet | a92 transistor | rfp50n06 | bd140 datasheet | tip2955 | tip35