HFT1N60S Todos los transistores

 

HFT1N60S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HFT1N60S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 2.1 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 0.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Carga de compuerta (Qg): 3 nC

Tiempo de elevación (tr): 21 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 22 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 12 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOT-223

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HFT1N60S Datasheet (PDF)

1.1. hft1n60s.pdf Size:302K _update_mosfet

HFT1N60S
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Dec 2009 BVDSS = 600 V RDS(on) typ HFT1N60S ID = 0.2 A 600V N-Channel MOSFET SOT-223 2 FEATURES 3 Originative New Design 1 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology D Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics G Unrivalled Gate Charge : 3.0 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lowe

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