HFT1N60S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HFT1N60S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 2.1 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V
Corriente continua de drenaje (Id): 0.2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
Carga de compuerta (Qg): 3 nC
Tiempo de elevación (tr): 21 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 22 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 12 Ohm
Empaquetado / Estuche: SOT-223
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HFT1N60S
HFT1N60S Datasheet (PDF)
1.1. hft1n60s.pdf 
Size:302K _update_mosfet
Dec 2009 BVDSS = 600 V RDS(on) typ HFT1N60S ID = 0.2 A 600V N-Channel MOSFET SOT-223 2 FEATURES 3 Originative New Design 1 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology D Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics G Unrivalled Gate Charge : 3.0 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lowe
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
