HFT1N60S Todos los transistores

 

HFT1N60S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HFT1N60S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 22 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 12 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-223
 

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HFT1N60S datasheet

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HFT1N60S

Dec 2009 BVDSS = 600 V RDS(on) typ HFT1N60S ID = 0.2 A 600V N-Channel MOSFET SOT-223 2 FEATURES 3 Originative New Design 1 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology D Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics G Unrivalled Gate Charge 3.0 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lowe

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HFT1N60S

Oct 2016 HFT1N60F 600V N-Channel MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Originative New Design BVDSS 600 V Very Low Intrinsic Capacitances ID 1A Excellent Switching Characteristics RDS(on), Typ 6.5 100% Avalanche Tested Qg, Typ 3.7 nC RoHS Compliant SOT-223 Symbol S D G Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise specified Symbol Parameter Value U

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History: FDC6321C | R6535KNZ | FDC6318P

 

 

 


 
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