HFT1N60S Todos los transistores

 

HFT1N60S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HFT1N60S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 22 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 12 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-223
 

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HFT1N60S Datasheet (PDF)

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HFT1N60S

Dec 2009BVDSS = 600 VRDS(on) typ HFT1N60SID = 0.2 A600V N-Channel MOSFETSOT-2232FEATURES3 Originative New Design1 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology D Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching CharacteristicsG Unrivalled Gate Charge : 3.0 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lowe

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HFT1N60S

Oct 2016HFT1N60F600V N-Channel MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Originative New DesignBVDSS 600 V Very Low Intrinsic CapacitancesID 1A Excellent Switching CharacteristicsRDS(on), Typ 6.5 100% Avalanche TestedQg, Typ 3.7 nC RoHS CompliantSOT-223 SymbolSDGAbsolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise specifiedSymbol Parameter Value U

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History: UT6898 | IRFPS38N60L | LPN2010C | SMC3407S | SSF1016A | SST404 | IRF9530P

 

 
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