Справочник MOSFET. HFT1N60S

 

HFT1N60S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HFT1N60S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 22 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 12 Ohm
   Тип корпуса: SOT-223
 

 Аналог (замена) для HFT1N60S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFT1N60S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:302K  semihow
 hft1n60s.pdf pdf_icon

HFT1N60S

Dec 2009BVDSS = 600 VRDS(on) typ HFT1N60SID = 0.2 A600V N-Channel MOSFETSOT-2232FEATURES3 Originative New Design1 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology D Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching CharacteristicsG Unrivalled Gate Charge : 3.0 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lowe

 7.1. Size:188K  semihow
 hft1n60f.pdf pdf_icon

HFT1N60S

Oct 2016HFT1N60F600V N-Channel MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Originative New DesignBVDSS 600 V Very Low Intrinsic CapacitancesID 1A Excellent Switching CharacteristicsRDS(on), Typ 6.5 100% Avalanche TestedQg, Typ 3.7 nC RoHS CompliantSOT-223 SymbolSDGAbsolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise specifiedSymbol Parameter Value U

Другие MOSFET... HFS8N60S , HFS8N60U , HFS8N65S , HFS8N65U , HFS8N70S , HFS8N70U , HFS8N80 , HFS9N50 , IRFP064N , HFU630 , HFW10N60S , HFW11N40 , HFW12N60S , HFW50N06 , HFW5N50S , HFW5N60S , HFW5N65S .

 

 
Back to Top

 


 
.