HFU630 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HFU630

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 46 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm

Encapsulados: I-PAK

 Búsqueda de reemplazo de HFU630 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HFU630 datasheet

 ..1. Size:158K  semihow
 hfd630 hfu630.pdf pdf_icon

HFU630

Dec 2012 BVDSS = 200 V RDS(on) typ HFD630 / HFU630 ID = 7.2 A 200V N-Channel MOSFET D-PAK I-PAK 2 FEATURES 1 1 3 2 3 Originative New Design HFD630 HFU630 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 22 nC (Typ.)

Otros transistores... HFS8N60U, HFS8N65S, HFS8N65U, HFS8N70S, HFS8N70U, HFS8N80, HFS9N50, HFT1N60S, IRF730, HFW10N60S, HFW11N40, HFW12N60S, HFW50N06, HFW5N50S, HFW5N60S, HFW5N65S, HFW5N65U