HFU630 Todos los transistores

 

HFU630 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HFU630
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 46 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: I-PAK
 

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HFU630 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:158K  semihow
 hfd630 hfu630.pdf pdf_icon

HFU630

Dec 2012BVDSS = 200 VRDS(on) typ HFD630 / HFU630ID = 7.2 A200V N-Channel MOSFETD-PAK I-PAK2FEATURES113 23 Originative New DesignHFD630 HFU630 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 22 nC (Typ.)

Otros transistores... HFS8N60U , HFS8N65S , HFS8N65U , HFS8N70S , HFS8N70U , HFS8N80 , HFS9N50 , HFT1N60S , BS170 , HFW10N60S , HFW11N40 , HFW12N60S , HFW50N06 , HFW5N50S , HFW5N60S , HFW5N65S , HFW5N65U .

History: R6007JNX | IRF721FI | WML18N50C4 | IRLI620GPBF | IRF7910 | RHK005N03 | FMV09N70E

 

 
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