HFU630. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HFU630

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 46 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: I-PAK

Аналог (замена) для HFU630

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFU630 даташит

 ..1. Size:158K  semihow
 hfd630 hfu630.pdf pdf_icon

HFU630

Dec 2012 BVDSS = 200 V RDS(on) typ HFD630 / HFU630 ID = 7.2 A 200V N-Channel MOSFET D-PAK I-PAK 2 FEATURES 1 1 3 2 3 Originative New Design HFD630 HFU630 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 22 nC (Typ.)

Другие IGBT... HFS8N60U, HFS8N65S, HFS8N65U, HFS8N70S, HFS8N70U, HFS8N80, HFS9N50, HFT1N60S, IRF730, HFW10N60S, HFW11N40, HFW12N60S, HFW50N06, HFW5N50S, HFW5N60S, HFW5N65S, HFW5N65U