HFW12N60S Todos los transistores

 

HFW12N60S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HFW12N60S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 225 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 85 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 185 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.65 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2-PAK
 

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HFW12N60S Datasheet (PDF)

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HFW12N60S

Jan 2013BVDSS = 600 VRDS(on) typ = 0.53 HFW12N60SID = 12 A600V N-Channel MOSFETD2-PAKFEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 38 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON

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History: IPP075N15N3G | R6530KNX1 | TK70X06K3 | IPP100N10S3-05 | IRF7404TR | CS10N80V

 

 
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